MEMS Patent

Monolithically integrated semiconductor element, use thereof and method for producing such a semiconductor element Invention DE4332653 (C1) Monolithisch integriertes Halbleiterelement, dessen Verwendung sowie Verfahren zur Herstellung eines solchen Halbleiterelements Germany DE4332653, September 1994 Inventors ALAVI, Mani – Dipl.-Ing. Dr.rer.nat. [DE]; FABULA, Thomas – Dipl.-Phys. [DE]; SCHUMACHER, Axel – Dipl.-Phys. [DE]; WAGNER, Hans-Joachim – Dipl.-Phys. [DE]   Abstract The monolithically integrated…